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NTD3817N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 15 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.96
0.86
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
11
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 15 A
5.4
5.6
2.8
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 5)
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
1.0
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
5. Assume standoff of 110 mm
http://onsemi.com
3
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